P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1

Nr. stoc RS: 462-3247Producator: InfineonCod de producator: SPD08P06P
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.5mm

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

2.3mm

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
P-Channel MOSFET, 8.83 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 5,90

€ 0,59 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 7,02

€ 0,702 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,90

€ 0,59 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 7,02

€ 0,702 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,59€ 5,90
100 - 240€ 0,56€ 5,60
250 - 490€ 0,53€ 5,30
500 - 990€ 0,50€ 5,00
1000+€ 0,47€ 4,70

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
P-Channel MOSFET, 8.83 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.5mm

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

2.3mm

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
P-Channel MOSFET, 8.83 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
P.O.A.Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)