Infineon CoolMOS™ C3 N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin TO-220 SPA02N80C3XKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ C3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
30.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
16.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,50
€ 0,95 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 11,50
€ 1,15 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 9,50
€ 0,95 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 11,50
€ 1,15 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,95 | € 9,50 |
| 100 - 240 | € 0,90 | € 9,00 |
| 250 - 490 | € 0,85 | € 8,50 |
| 500 - 990 | € 0,81 | € 8,10 |
| 1000+ | € 0,74 | € 7,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ C3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
30.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
16.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse