Infineon Si4435DYPbF P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
Si4435DYPbF
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Typical Power Gain
0
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 67,00
€ 0,67 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 79,73
€ 0,797 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 67,00
€ 0,67 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 79,73
€ 0,797 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,67 | € 6,70 |
| 250 - 490 | € 0,64 | € 6,40 |
| 500 - 990 | € 0,60 | € 6,00 |
| 1000+ | € 0,56 | € 5,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
Si4435DYPbF
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Typical Power Gain
0
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse