Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRLZ34NPBF

Nr. stoc RS: 919-4898Producator: InfineonCod de producator: IRLZ34NPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

68 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

8.77mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
IRLZ34NPBF N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Informatii indisponibile despre stoc

€ 55,00

€ 1,10 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 65,45

€ 1,309 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRLZ34NPBF

€ 55,00

€ 1,10 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 65,45

€ 1,309 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRLZ34NPBF
Informatii indisponibile despre stoc

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Tub
50 - 50€ 1,10€ 55,00
100 - 200€ 0,85€ 42,50
250 - 450€ 0,79€ 39,50
500 - 1200€ 0,73€ 36,50
1250+€ 0,67€ 33,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
IRLZ34NPBF N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

68 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

8.77mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
IRLZ34NPBF N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)