Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF

Nr. stoc RS: 168-6028Producator: InfineonCod de producator: IRLB8314PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

171 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

TO-220AB

Serie

HEXFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.83mm

Inaltime

16.51mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 41,00

€ 0,82 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 48,79

€ 0,976 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF

€ 41,00

€ 0,82 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 48,79

€ 0,976 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Tub
50 - 50€ 0,82€ 41,00
100 - 200€ 0,63€ 31,50
250 - 450€ 0,60€ 30,00
500 - 1200€ 0,56€ 28,00
1250+€ 0,50€ 25,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

171 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

TO-220AB

Serie

HEXFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.83mm

Inaltime

16.51mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)