Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRLB4030PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220AB
Serie
HEXFET
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 4.5 V
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
9.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,44
€ 3,72 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 8,85
€ 4,427 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 7,44
€ 3,72 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 8,85
€ 4,427 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,72 | € 7,44 |
| 20 - 48 | € 3,13 | € 6,26 |
| 50 - 98 | € 2,92 | € 5,84 |
| 100 - 198 | € 2,67 | € 5,34 |
| 200+ | € 2,47 | € 4,94 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220AB
Serie
HEXFET
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 4.5 V
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
9.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse