Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRL2910STRLPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.65mm
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 16,80
€ 3,36 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 20,33
€ 4,066 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 16,80
€ 3,36 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 20,33
€ 4,066 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,36 | € 16,80 |
| 25 - 45 | € 2,96 | € 14,80 |
| 50 - 120 | € 2,77 | € 13,85 |
| 125 - 245 | € 2,55 | € 12,75 |
| 250+ | € 2,33 | € 11,65 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.65mm
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse