Infineon N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRFS3307ZTRRPBF

Nr. stoc RS: 218-3118PProducator: InfineonCod de producator: IRFS3307ZTRRPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0058 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 103,50

€ 2,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 123,16

€ 2,463 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRFS3307ZTRRPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 103,50

€ 2,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 123,16

€ 2,463 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRFS3307ZTRRPBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
50 - 90€ 2,07€ 20,70
100 - 240€ 1,96€ 19,60
250 - 490€ 1,86€ 18,60
500+€ 1,71€ 17,10

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0058 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe