N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRFR4510PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
143 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
54 nC @ 10 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.39mm
Serie
HEXFET
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
Standard
5
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
143 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
54 nC @ 10 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.39mm
Serie
HEXFET
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse