N-Channel MOSFET, 46 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4229PBF

Nr. stoc RS: 688-6942Producator: InfineonCod de producator: IRFB4229PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

46 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

330 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.66mm

Transistor Material

Si

Latime

4.82mm

Inaltime

9.02mm

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Detalii produs

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 46 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4229PBF

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 46 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4229PBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

46 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

330 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.66mm

Transistor Material

Si

Latime

4.82mm

Inaltime

9.02mm

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Detalii produs

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze