Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4mm
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,75
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,03
€ 0,321 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 6,75
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,03
€ 0,321 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 15 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4mm
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse