Infineon DirectFET, HEXFET N-Channel MOSFET, 375 A, 60 V DirectFET ISOMETRIC IRF7749L1TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
375 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
DirectFET, HEXFET
Tip pachet
DirectFET ISOMETRIC
Timp montare
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
1.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
7.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
9.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
200 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
0.49mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Detalii produs
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,72
€ 3,93 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
€ 18,71
€ 4,677 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)
Standard
4
€ 15,72
€ 3,93 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
€ 18,71
€ 4,677 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)
Standard
4
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
375 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
DirectFET, HEXFET
Tip pachet
DirectFET ISOMETRIC
Timp montare
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
1.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
7.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
9.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
200 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
0.49mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Detalii produs
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse