Infineon DirectFET, HEXFET N-Channel MOSFET, 86 A, 60 V DirectFET ISOMETRIC IRF6648TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
86 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
DirectFET, HEXFET
Tip pachet
DirectFET ISOMETRIC
Timp montare
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
89 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.05mm
Lungime
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
0.5mm
Tara de origine
China
Detalii produs
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4.512,00
€ 0,94 Buc. (Pe o rola de 4800) (fara TVA)
€ 5.369,28
€ 1,119 Buc. (Pe o rola de 4800) (cu TVA)
4800
€ 4.512,00
€ 0,94 Buc. (Pe o rola de 4800) (fara TVA)
€ 5.369,28
€ 1,119 Buc. (Pe o rola de 4800) (cu TVA)
4800
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
86 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
DirectFET, HEXFET
Tip pachet
DirectFET ISOMETRIC
Timp montare
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
89 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.05mm
Lungime
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
0.5mm
Tara de origine
China
Detalii produs
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse