Infineon N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V DirectFET ISOMETRIC IRF6643TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serie
DirectFET, HEXFET
Tip pachet
DirectFET ISOMETRIC
Timp montare
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
34.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
89 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.05mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.59mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Detalii produs
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
Standard
2
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
Standard
2
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serie
DirectFET, HEXFET
Tip pachet
DirectFET ISOMETRIC
Timp montare
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
34.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
89 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.05mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.59mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Detalii produs
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse