Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRF3205ZSTRLPBF

Nr. stoc RS: 222-4735PProducator: InfineonCod de producator: IRF3205ZSTRLPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0065 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 72,00

€ 1,44 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 87,12

€ 1,742 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRF3205ZSTRLPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 72,00

€ 1,44 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 87,12

€ 1,742 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRF3205ZSTRLPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
50 - 90€ 1,44€ 14,40
100 - 240€ 1,37€ 13,70
250 - 490€ 1,29€ 12,90
500+€ 1,19€ 11,90

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0065 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe