Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0065 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
€ 72,00
€ 1,44 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 87,12
€ 1,742 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 72,00
€ 1,44 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 87,12
€ 1,742 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,44 | € 14,40 |
| 100 - 240 | € 1,37 | € 13,70 |
| 250 - 490 | € 1,29 | € 12,90 |
| 500+ | € 1,19 | € 11,90 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0065 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon


