Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRF1404ZPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
220 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.54mm
Typical Gate Charge @ Vgs
100 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.69mm
Inaltime
8.77mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 50,50
€ 1,01 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 60,10
€ 1,202 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 50,50
€ 1,01 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 60,10
€ 1,202 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,01 | € 50,50 |
| 100 - 200 | € 0,95 | € 47,50 |
| 250 - 450 | € 0,90 | € 45,00 |
| 500 - 1200 | € 0,84 | € 42,00 |
| 1250+ | € 0,78 | € 39,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
220 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.54mm
Typical Gate Charge @ Vgs
100 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.69mm
Inaltime
8.77mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse