Infineon CoolMOS™ CFD N-Channel MOSFET, 43 A, 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R080CFDAFKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Serie
CoolMOS™ CFD
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
391 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.21mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
167 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
21.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 11,77
€ 11,77 Buc. (fara TVA)
€ 14,24
€ 14,24 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 11,77
€ 11,77 Buc. (fara TVA)
€ 14,24
€ 14,24 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 11,77 |
| 5 - 9 | € 11,08 |
| 10 - 24 | € 10,75 |
| 25 - 49 | € 9,95 |
| 50+ | € 9,17 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Serie
CoolMOS™ CFD
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
391 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.21mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
167 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
21.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse