Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 63.3 A, 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R048CFDAFKSA1

Nr. stoc RS: 222-4724Producator: InfineonCod de producator: IPW65R048CFDAFKSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

63.3 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.048 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 243,00

€ 8,10 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 294,03

€ 9,801 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 63.3 A, 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R048CFDAFKSA1

€ 243,00

€ 8,10 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 294,03

€ 9,801 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 63.3 A, 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R048CFDAFKSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Tub
30 - 30€ 8,10€ 243,00
60 - 60€ 7,62€ 228,60
90+€ 7,07€ 212,10

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

63.3 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.048 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe