Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R165CPFKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS CP
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
192 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.21mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
21.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 43,36
€ 5,42 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 52,47
€ 6,558 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
8
€ 43,36
€ 5,42 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 52,47
€ 6,558 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
8
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 8 - 16 | € 5,42 | € 21,68 |
| 20 - 36 | € 5,15 | € 20,60 |
| 40 - 96 | € 4,87 | € 19,48 |
| 100+ | € 4,50 | € 18,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS CP
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
192 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.21mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
21.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse