N-Channel MOSFET, 13 A, 550 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW50R250CPFKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
114 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.03mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.16mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Serie
CoolMOS CP
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
21.1mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
3
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
3
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
114 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.03mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.16mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Serie
CoolMOS CP
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
21.1mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse