Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT65R040CFD7XTMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Tip pachet
PG-HSOF-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12.240,00
€ 6,12 1 Reel of 1 (fara TVA)
€ 14.565,60
€ 7,283 1 Reel of 1 (cu TVA)
2000
€ 12.240,00
€ 6,12 1 Reel of 1 (fara TVA)
€ 14.565,60
€ 7,283 1 Reel of 1 (cu TVA)
2000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Tip pachet
PG-HSOF-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse