Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IPP110N20N3GXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
88 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-220
Serie
OptiMOS™ 3
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Inaltime
9.45mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 8,00 Buc. (fara TVA)
€ 9,52
€ 9,52 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 8,00
€ 8,00 Buc. (fara TVA)
€ 9,52
€ 9,52 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 8,00 |
| 5 - 9 | € 7,69 |
| 10 - 14 | € 7,48 |
| 15 - 24 | € 7,17 |
| 25+ | € 6,92 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
88 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-220
Serie
OptiMOS™ 3
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Inaltime
9.45mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse