Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 IPP020N06NAKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
214 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
106 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.57mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
15.95mm
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 81,50
€ 3,26 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 98,62
€ 3,945 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
25
€ 81,50
€ 3,26 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 98,62
€ 3,945 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 3,26 | € 16,30 |
| 50 - 120 | € 3,01 | € 15,05 |
| 125 - 245 | € 2,77 | € 13,85 |
| 250+ | € 2,57 | € 12,85 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
214 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
106 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.57mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
15.95mm
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse