Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin I2PAK IPI80N06S4L07AKSA2

Nr. stoc RS: 214-9068Producator: InfineonCod de producator: IPI80N06S4L07AKSA2
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

I2PAK (TO-262)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0067 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 6,90

€ 0,69 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,21

€ 0,821 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin I2PAK IPI80N06S4L07AKSA2
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,90

€ 0,69 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,21

€ 0,821 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin I2PAK IPI80N06S4L07AKSA2
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

I2PAK (TO-262)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0067 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe