Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

Nr. stoc RS: 214-9062Producator: InfineonCod de producator: IPG20N06S4L11AATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SuperSO8 5 x 6 Dual

Serie

OptiMOS™ -T2

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 14,20

€ 1,42 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 17,18

€ 1,718 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 14,20
20€ 28,40
30€ 42,60
40€ 56,80
50€ 66,50
60€ 79,80
70€ 93,10
80€ 106,40
90€ 119,70
100€ 126,00
110€ 138,60
120€ 151,20
130€ 163,80
140€ 176,40
150€ 189,00

€ 14,20

€ 1,42 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 17,18

€ 1,718 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 14,20
20€ 28,40
30€ 42,60
40€ 56,80
50€ 66,50
60€ 79,80
70€ 93,10
80€ 106,40
90€ 119,70
100€ 126,00
110€ 138,60
120€ 151,20
130€ 163,80
140€ 176,40
150€ 189,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 40€ 1,42€ 14,20
50 - 90€ 1,33€ 13,30
100 - 240€ 1,26€ 12,60
250 - 490€ 1,20€ 12,00
500+€ 1,10€ 11,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SuperSO8 5 x 6 Dual

Serie

OptiMOS™ -T2

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe