Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

Nr. stoc RS: 214-9062Producator: InfineonCod de producator: IPG20N06S4L11AATMA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SuperSO8 5 x 6 Dual

Serie

OptiMOS™ -T2

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 14,30

€ 1,43 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 17,30

€ 1,73 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 14,30

€ 1,43 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 17,30

€ 1,73 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 40€ 1,43€ 14,30
50 - 90€ 1,34€ 13,40
100 - 240€ 1,27€ 12,70
250 - 490€ 1,21€ 12,10
500+€ 1,11€ 11,10

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SuperSO8 5 x 6 Dual

Serie

OptiMOS™ -T2

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe