Infineon N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin DPAK IPD80R1K4P7ATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ P7
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
32 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
2.41mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET
The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 850,00
€ 0,34 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.011,50
€ 0,405 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 850,00
€ 0,34 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.011,50
€ 0,405 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ P7
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
32 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
2.41mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET
The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse