Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Nr. stoc RS: 222-4670Producator: InfineonCod de producator: IPD60R280CFD7ATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-252

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.28 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 1.800,00

€ 0,72 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 2.178,00

€ 0,871 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500€ 1.800,00
5000€ 3.600,00
7500€ 5.400,00
10000€ 7.200,00
12500€ 9.000,00
15000€ 10.800,00
17500€ 12.600,00
20000€ 14.400,00
22500€ 16.200,00
25000€ 18.000,00
27500€ 19.800,00
30000€ 21.600,00
32500€ 23.400,00
35000€ 25.200,00
37500€ 27.000,00

€ 1.800,00

€ 0,72 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 2.178,00

€ 0,871 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500€ 1.800,00
5000€ 3.600,00
7500€ 5.400,00
10000€ 7.200,00
12500€ 9.000,00
15000€ 10.800,00
17500€ 12.600,00
20000€ 14.400,00
22500€ 16.200,00
25000€ 18.000,00
27500€ 19.800,00
30000€ 21.600,00
32500€ 23.400,00
35000€ 25.200,00
37500€ 27.000,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-252

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.28 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe