Infineon OptiMOS™ -T2 Silicon N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD50N08S413ATMA1

Nr. stoc RS: 229-1833Producator: InfineonCod de producator: IPD50N08S413ATMA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0132 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 16,20

€ 1,08 Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 19,60

€ 1,307 Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 Silicon N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD50N08S413ATMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 16,20

€ 1,08 Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 19,60

€ 1,307 Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 Silicon N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD50N08S413ATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
15 - 60€ 1,08€ 16,20
75 - 135€ 1,01€ 15,15
150 - 360€ 0,96€ 14,40
375 - 735€ 0,91€ 13,65
750+€ 0,84€ 12,60

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0132 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe