Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD25N06S4L30ATMA2

Nr. stoc RS: 215-2503Producator: InfineonCod de producator: IPD25N06S4L30ATMA2
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 1.100,00

€ 0,44 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 1.331,00

€ 0,532 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD25N06S4L30ATMA2

€ 1.100,00

€ 0,44 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 1.331,00

€ 0,532 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD25N06S4L30ATMA2

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
2500 - 2500€ 0,44€ 1.100,00
5000+€ 0,41€ 1.025,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe