Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD038N06NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5867Producator: InfineonCod de producator: IPD038N06NF2SATMA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO252-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 8,00

€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 9,52

€ 0,952 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD038N06NF2SATMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,00

€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 9,52

€ 0,952 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD038N06NF2SATMA1
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,80€ 8,00
100 - 240€ 0,75€ 7,50
250 - 490€ 0,72€ 7,20
500 - 990€ 0,68€ 6,80
1000+€ 0,42€ 4,20

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO252-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe