Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
167 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Latime
6.223mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.413mm
Tara de origine
Malaysia
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
5
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
167 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Latime
6.223mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.413mm
Tara de origine
Malaysia


