Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD028N06NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5863PProducator: InfineonCod de producator: IPD028N06NF2SATMA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

139 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO252-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 64,50

€ 1,29 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 78,04

€ 1,561 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD028N06NF2SATMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 64,50

€ 1,29 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 78,04

€ 1,561 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 IPD028N06NF2SATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
50 - 120€ 1,29€ 6,45
125 - 245€ 1,19€ 5,95
250 - 495€ 1,10€ 5,50
500+€ 0,83€ 4,15

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

139 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO252-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe