N-Channel MOSFET, 80 A, 30 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB80N03S4L03ATMA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Latime
9.45mm
Transistor Material
Si
Serie
OptiMOS T2
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
4.572mm
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs
Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
Standard
20
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Latime
9.45mm
Transistor Material
Si
Serie
OptiMOS T2
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Inaltime
4.572mm
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs
Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse