Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

Nr. stoc RS: 222-4655Producator: InfineonCod de producator: IPB65R110CFDAATMA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO 263

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 2.610,00

€ 2,61 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 3.158,10

€ 3,158 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

€ 2.610,00

€ 2,61 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 3.158,10

€ 3,158 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO 263

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe