Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB60R099P7ATMA1

Nr. stoc RS: 222-4653Producator: InfineonCod de producator: IPB60R099P7ATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO 263

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2.190,00

€ 2,19 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 2.606,10

€ 2,606 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB60R099P7ATMA1

1000

Disponibil in multiplu de 1000
1000€ 2.190,00
2000€ 4.380,00
3000€ 6.570,00
4000€ 8.760,00
5000€ 10.950,00
6000€ 13.140,00
7000€ 15.330,00
8000€ 17.520,00
9000€ 19.710,00
10000€ 21.900,00
11000€ 24.090,00
12000€ 26.280,00
13000€ 28.470,00
14000€ 30.660,00
15000€ 32.850,00

€ 2.190,00

€ 2,19 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 2.606,10

€ 2,606 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB60R099P7ATMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

1000

Disponibil in multiplu de 1000
1000€ 2.190,00
2000€ 4.380,00
3000€ 6.570,00
4000€ 8.760,00
5000€ 10.950,00
6000€ 13.140,00
7000€ 15.330,00
8000€ 17.520,00
9000€ 19.710,00
10000€ 21.900,00
11000€ 24.090,00
12000€ 26.280,00
13000€ 28.470,00
14000€ 30.660,00
15000€ 32.850,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO 263

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe