Infineon N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

Name: Infineon N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon
SKU: 2183032
Availability: LimitedAvailability

Nr. stoc RS: 218-3032Producator: InfineonCod de producator: IPB120N06S4H1ATMA2

Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

Maximum Drain Source Resistance

0.002 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Transistor Material

Informatii indisponibile despre stoc

€ 1.630,00

€ 1,63 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 1.939,70

€ 1,94 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

1000

€ 1.630,00

€ 1,63 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 1.939,70

€ 1,94 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

Informatii indisponibile despre stoc

1000

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

Maximum Drain Source Resistance

0.002 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Transistor Material