Infineon OptiMOS FD N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IPB117N20NFDATMA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
OptiMOS FD
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
11.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+170 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.45mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
4.57mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,64
€ 2,82 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 6,82
€ 3,412 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
2
€ 5,64
€ 2,82 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 6,82
€ 3,412 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
OptiMOS FD
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
11.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+170 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.45mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
4.57mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse