Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5858Producator: InfineonCod de producator: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 664,00

€ 0,83 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 803,44

€ 1,004 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1

800

Disponibil in multiplu de 800
800€ 664,00
1600€ 1.328,00
2400€ 1.992,00
3200€ 2.656,00
4000€ 3.320,00
4800€ 3.984,00
5600€ 4.648,00
6400€ 5.312,00
7200€ 5.976,00
8000€ 6.640,00
8800€ 7.304,00
9600€ 7.968,00
10400€ 8.632,00
11200€ 9.296,00
12000€ 9.960,00

€ 664,00

€ 0,83 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 803,44

€ 1,004 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

800

Disponibil in multiplu de 800
800€ 664,00
1600€ 1.328,00
2400€ 1.992,00
3200€ 2.656,00
4000€ 3.320,00
4800€ 3.984,00
5600€ 4.648,00
6400€ 5.312,00
7200€ 5.976,00
8000€ 6.640,00
8800€ 7.304,00
9600€ 7.968,00
10400€ 8.632,00
11200€ 9.296,00
12000€ 9.960,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe