Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N06NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5855PProducator: InfineonCod de producator: IPB018N06NF2SATMA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

187 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 47,00

€ 1,88 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 56,87

€ 2,275 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N06NF2SATMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 47,00

€ 1,88 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 56,87

€ 2,275 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N06NF2SATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
25 - 45€ 1,88€ 9,40
50 - 120€ 1,74€ 8,70
125 - 245€ 1,60€ 8,00
250+€ 1,46€ 7,30

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

187 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe