N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB014N06NATMA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
D2PAK-7
Montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
214 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
11.05mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
106 nC @ 10 V
Inaltime
4.57mm
Serie
OptiMOS 5
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
Standard
4
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
4
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
D2PAK-7
Montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
214 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
11.05mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
106 nC @ 10 V
Inaltime
4.57mm
Serie
OptiMOS 5
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse