Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB013N06NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5846Producator: InfineonCod de producator: IPB013N06NF2SATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 1.456,00

€ 1,82 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 1.761,76

€ 2,202 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB013N06NF2SATMA1

800

Disponibil in multiplu de 800
800€ 1.456,00
1600€ 2.912,00
2400€ 4.368,00
3200€ 5.824,00
4000€ 7.280,00
4800€ 8.736,00
5600€ 10.192,00
6400€ 11.648,00
7200€ 13.104,00
8000€ 14.560,00
8800€ 16.016,00
9600€ 17.472,00
10400€ 18.928,00
11200€ 20.384,00
12000€ 21.840,00

€ 1.456,00

€ 1,82 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 1.761,76

€ 2,202 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB013N06NF2SATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

800

Disponibil in multiplu de 800
800€ 1.456,00
1600€ 2.912,00
2400€ 4.368,00
3200€ 5.824,00
4000€ 7.280,00
4800€ 8.736,00
5600€ 10.192,00
6400€ 11.648,00
7200€ 13.104,00
8000€ 14.560,00
8800€ 16.016,00
9600€ 17.472,00
10400€ 18.928,00
11200€ 20.384,00
12000€ 21.840,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe