Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA60R199CPXKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS CP
Tip pachet
TO-220 FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
199 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
16.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,04
€ 3,76 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
€ 18,20
€ 4,55 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)
Standard
4
€ 15,04
€ 3,76 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
€ 18,20
€ 4,55 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
4
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 3,76 | € 15,04 |
| 20 - 36 | € 3,54 | € 14,16 |
| 40 - 96 | € 3,35 | € 13,40 |
| 100 - 196 | € 3,10 | € 12,40 |
| 200+ | € 2,89 | € 11,56 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS CP
Tip pachet
TO-220 FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
199 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
16.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse