Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 23 A, 550 V, 3-Pin TO-220 FP IPA50R140CPXKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Tip pachet
TO-220 FP
Serie
CoolMOS CP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.65mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Inaltime
9.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,39
€ 4,39 Buc. (fara TVA)
€ 5,31
€ 5,31 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 4,39
€ 4,39 Buc. (fara TVA)
€ 5,31
€ 5,31 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,39 |
| 10 - 24 | € 3,65 |
| 25 - 49 | € 3,35 |
| 50 - 99 | € 3,11 |
| 100+ | € 2,82 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Tip pachet
TO-220 FP
Serie
CoolMOS CP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.65mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Inaltime
9.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse