Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R030M1HXKSA1

Nr. stoc RS: 232-0403PProducator: InfineonCod de producator: IMZA65R030M1HXKSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.042 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 59,30

€ 11,86 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 71,75

€ 14,35 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R030M1HXKSA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 59,30

€ 11,86 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 71,75

€ 14,35 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R030M1HXKSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
5 - 9€ 11,86
10 - 24€ 11,25
25 - 49€ 10,65
50+€ 9,82

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.042 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe