Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R057M1HXKSA1

Nr. stoc RS: 232-0392Producator: InfineonCod de producator: IMW65R057M1HXKSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.074 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 271,20

€ 9,04 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 328,15

€ 10,938 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R057M1HXKSA1

€ 271,20

€ 9,04 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 328,15

€ 10,938 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R057M1HXKSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Tub
30 - 30€ 9,04€ 271,20
60 - 60€ 8,51€ 255,30
90+€ 7,90€ 237,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.074 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe