Infineon IMW1 N-Channel MOSFET, 4.7 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R350M1HXKSA1

Nr. stoc RS: 222-4859Producator: InfineonCod de producator: IMW120R350M1HXKSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-247

Serie

IMW1

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 85,80

€ 2,86 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 103,82

€ 3,461 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon IMW1 N-Channel MOSFET, 4.7 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R350M1HXKSA1

€ 85,80

€ 2,86 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 103,82

€ 3,461 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon IMW1 N-Channel MOSFET, 4.7 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R350M1HXKSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-247

Serie

IMW1

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe