Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 61 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R039M1HXUMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tip pachet
PG-HSOF-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 21.060,00
€ 10,53 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)
€ 25.061,40
€ 12,531 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)
2000
€ 21.060,00
€ 10,53 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)
€ 25.061,40
€ 12,531 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)
2000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tip pachet
PG-HSOF-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse