Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 79 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1

Nr. stoc RS: 284-714Producator: InfineonCod de producator: IMT65R022M1HXUMA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

79 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tip pachet

PG-HSOF-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 23,78

€ 23,78 Buc. (fara TVA)

€ 28,30

€ 28,30 Buc. (cu TVA)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 79 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 23,78

€ 23,78 Buc. (fara TVA)

€ 28,30

€ 28,30 Buc. (cu TVA)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 79 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 23,78
10 - 99€ 21,20
100+€ 19,37

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

79 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tip pachet

PG-HSOF-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe