Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Name: Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Brand: Infineon
SKU: 0277194

Nr. stoc RS: 277-194Producator: InfineonCod de producator: FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

925 A

Maximum Drain Source Voltage

3300 V

Tip pachet

Tray

Serie

XHP

Montare

Screw Mount

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

Tara de origine

Germany

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

925 A

Maximum Drain Source Voltage

3300 V

Tip pachet

Tray

Serie

XHP

Montare

Screw Mount

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

Tara de origine

Germany