Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Nr. stoc RS: 167-970Producator: InfineonCod de producator: BSS138N
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Inaltime

1mm

Latime

1.3mm

S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GProducator: onsemi
€ 0,182Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 100.

Productie -

Disponibil in multiplu de 100.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

100

Disponibil in multiplu de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 100.

Productie -

Disponibil in multiplu de 100.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

100

Disponibil in multiplu de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GProducator: onsemi
€ 0,182Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Inaltime

1mm

Latime

1.3mm

S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GProducator: onsemi
€ 0,182Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)